통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.

RFHIC의 GaN-on-SiC (질화갈륨) 트랜지스터 제품군은 광범위한 출력과 주파수 대역을 자랑합니다.
세계적인 기술력과 최고의 품질 관리를 통해 RFHIC의 GaN-on-SiC 제품군은
성능, 품질 및 신뢰성 등 모든 면에서 업계의 선두에 있습니다.
Part Number | Datasheet | Min Freq2. | Max Freq. | Typ Output Power | Power Gain | Drain Efficiency | VDC | Package Type | Cooling | Output Power | Package | Saturation Power | Efficiency | Min Output Power | |||
ID19411D | 1995 | 2020 | 55 | 18 | 49.6 | - | 48 | Flange | - | - | 410 | 17.7 | RF24008DKR3 | 410 | 50 | - | |
ID19601D | 1930 | 1995 | 81.3 | 16.2 | 48.2 | - | 48 | Flange | - | - | 600 | 16.2 | RF24009DKR3 | 600 | 48.2 | - | |
ID20411D | 1930 | 2200 | 56.2 | 16 | 48.1 | - | 48 | Flange | - | - | 410 | 15.5 | RF24008DKR3 | 410 | 48.1 | - | |
ID20275WD |
|
1880 | 2025 | 48 | 15.3 | 54.6 | - | 48 | Flange | - | - | 282 | 15.2 | RF18010DKR3 | 282 | 53 | - |
IE19195WD |
|
1880 | 2025 | 32 | 17 | 49.9 | - | 48 | Flange | - | - | 195 | 16.9 | RF12001DKR3 | 195 | 49 | - |
ID18275WD |
|
1805 | 1880 | 50 | 14 | 56.6 | - | 48 | Flange | - | - | 275 | 13.8 | RF18010DKR3 | 331 | 56.4 | - |
IE18085P |
|
1805 | 1880 | 19 | 19 | 40.5 | - | 48 | Flange | - | - | 85 | 19.4 | RF12002KR3 | 90 | 37 | - |
IE18165P |
|
1805 | 1880 | 37 | 18.3 | 40.6 | - | 48 | Flange | - | - | 165 | 18.1 | NS-AS01 | 170 | 39 | - |
IE18330D |
|
1805 | 1880 | 63 | 16 | 57.7 | - | 48 | Flange | - | - | 330 | 15.5 | RF24001DKR3 | 330 | 57 | - |
IE18330PG |
|
1805 | 1880 | 74 | 16 | 41.5 | - | 48 | Flange | - | - | 330 | 15.4 | NS-AS01 | 330 | 40 | - |